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安光企业集团，深耕光刻胶与显影液研发生产，匠心打造优质电子材料，赋能半导体产业高质量发展。
安光企业集团，深耕光刻胶与显影液研发生产，匠心打造优质电子材料，赋能半导体产业高质量发展。
I-line光刻胶是一种采用365nm紫外波长（汞灯i-line）曝光的光刻材料，相较于G-line光刻胶（436nm），其因波长更短而具备更高的分辨率，是连接传统成熟制程与先进光刻技术的关键节点。其核心基于成熟的酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ）光敏体系，属于非化学放大型光刻胶，兼具高分辨率、宽工艺窗口与高性价比的突出优势。
I-line光刻胶是一种采用365nm紫外波长（汞灯i-line）曝光的光刻材料，相较于G-line光刻胶（436nm），其因波长更短而具备更高的分辨率，是连接传统成熟制程与先进光刻技术的关键节点。其核心基于成熟的酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ）光敏体系，属于非化学放大型光刻胶，兼具高分辨率、宽工艺窗口与高性价比的突出优势。
AIR 8510
AIR 7330
AIR 5155
Resist Film Thickness:0.3~4um
Property:
1. High resolution;
2. Excellent etching resistance;
3. High thermal resistance;
4. High photo speed;
5. Wide process margin.
应用领域：
1.功率半导体与分立器件：I-line光刻胶在功率半导体领域市占率超过50%，广泛应用于MOSFET、IGBT、二极管等功率器件的刻蚀掩模与离子注入保护层。国内功率半导体龙头三安光电、士兰微等主流大厂扩产线均在使用I-line光刻胶方案。
2.微机电系统（MEMS）与传感器：信越化学SIPR3251等厚膜I-line胶专用于MEMS加速度计、陀螺仪、压力传感器等结构的深槽刻蚀与图形化，同时也应用于TSV硅通孔、微流控通道、光学元件等微加工场景。I-line灰度光刻还可高效制造微透镜阵列等2.5D/3D微纳结构。
3.模拟与混合信号芯片：用于对线宽要求不高、但注重器件匹配性和稳定性的模拟IC、射频芯片等0.35μm节点制程。
4.先进封装：I-line厚膜光刻胶在先进封装中应用广泛，包括晶圆级封装（WLP）的永久保护层、RDL重布线层图形化、凸块（Bump）制作等。
5.显示驱动芯片（DDI）与图像传感器：用于TFT阵列制造、LED与图像传感器（CIS）的厚膜光刻与钝化保护。
6.IC制造成熟制程：应用于中低端逻辑芯片（MCU）、电源管理芯片（PMIC）、汽车电子等0.35μm～0.30μm级关键层量产。
