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安光企业集团，深耕光刻胶与显影液研发生产，匠心打造优质电子材料，赋能半导体产业高质量发展。
安光企业集团，深耕光刻胶与显影液研发生产，匠心打造优质电子材料，赋能半导体产业高质量发展。
KrF光刻胶是基于248nm氟化氪（KrF）准分子激光曝光、采用化学放大技术（CAR）的半导体制造关键材料，是连接成熟制程（i-line）与先进节点（ArF/EUV）的核心桥梁。KrF光刻胶是半导体制造中实现高精度图形转移的关键光敏材料。其核心技术优势在于化学放大（CAR），即通过在光刻胶中添加光致产酸剂（PAG），曝光产生极少量的酸，在后烘（PEB）环节催化树脂发生脱保护反应，一个酸分子可催化数千个反应，从而将灵敏度提升十倍以上，兼顾了高分辨率与高产能的需求。KrF光刻胶是首个实现商业应用的化学放大光刻胶，在半导体产业中扮演着承上启下的战略角色。
KrF光刻胶是基于248nm氟化氪（KrF）准分子激光曝光、采用化学放大技术（CAR）的半导体制造关键材料，是连接成熟制程（i-line）与先进节点（ArF/EUV）的核心桥梁。KrF光刻胶是半导体制造中实现高精度图形转移的关键光敏材料。其核心技术优势在于化学放大（CAR），即通过在光刻胶中添加光致产酸剂（PAG），曝光产生极少量的酸，在后烘（PEB）环节催化树脂发生脱保护反应，一个酸分子可催化数千个反应，从而将灵敏度提升十倍以上，兼顾了高分辨率与高产能的需求。KrF光刻胶是首个实现商业应用的化学放大光刻胶，在半导体产业中扮演着承上启下的战略角色。
2.EPK 7012
Resist Film Thickness:0.9~1.6um
EPK 7020
Resist Film Thickness:1.6~2.6um
Property:
1. High resolution @0.2um;
2. Excellent etching resistance;
3. High thermal resistance.
3.应用领域：
1.逻辑芯片（Logic）：应用于90nm至28nm技术节点的Poly、AA（有源区）、Contact、Metal等关键层光刻。
2.存储芯片（Memory）：应用于DRAM和3D NAND Flash的90–130nm制程节点的栅极、位线图形化，是全球DRAM/3D NAND产线的主力光刻胶。
3.功率器件（Power）：广泛应用于IGBT、MOSFET的厚膜光刻和细线路加工，凭借高耐刻蚀性保障汽车电子、工业电源的可靠性。
4.图像传感器（CIS）：用于130nm节点的像素阵列与线路制作，高分辨率能力助力提升成像品质。
5.先进封装：专用于硅通孔（TSV）、扇出型封装（FOWLP）等高深宽比图形的厚掩模光刻，是实现2.5D/3D封装的关键材料。
6.离子注入（Implant）：作为注入掩膜，承受高能离子轰击，实现精准的掺杂区域控制。
