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G-line光刻胶 EPG系列

G-line光刻胶是一种专为436nm紫外波长的汞灯g-line曝光设计的感光材料。其核心工作机理基于传统的酚醛树脂与重氮萘醌（Novolak/DNQ）光敏体系，属于非化学放大型光刻胶。曝光时，重氮萘醌发生光化学反应生成羧酸，使曝光区域在碱性显影液中溶解，从而实现图形转移。由于不涉及化学反应放大，G-line光刻胶的工艺宽容度高，对

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  1. G-line光刻胶是一种专为436nm紫外波长的汞灯g-line曝光设计的感光材料。其核心工作机理基于传统的酚醛树脂与重氮萘醌（Novolak/DNQ）光敏体系，属于非化学放大型光刻胶。曝光时，重氮萘醌发生光化学反应生成羧酸，使曝光区域在碱性显影液中溶解，从而实现图形转移。由于不涉及化学反应放大，G-line光刻胶的工艺宽容度高，对环境洁净度要求相对较低。


  2. EPG 562                                            
       EPG 567 
       EPG 5650 series 
       Resist Film Thickness:7~12um
       Property:
       1. Excellent ability to resist dry etching;
       2. Different viscosity and profile shape series to meet a variety of customer
           needs.


  3. 应用领域：
      1.半导体分立器件与功率芯片：广泛应用于二极管、晶体管等元件制造。
      2.微机电系统（MEMS）：在MEMS传感器、微流体器件等微米级结构加工中，G-line光刻是主流和可靠的选择。
      3.模拟与混合信号IC：用于对线宽要求不高，但重视器件匹配性和稳定性的模拟及射频电路的生产。
      4.先进封装：作为晶圆级封装（WLP）、扇出型封装（Fan-out）和硅通孔（TSV）等先进工艺中光刻步骤的重要候选材料。
      5.IC制造前端：在少数传统CMOS工艺制程（如电源管理、显示驱动芯片制造）中，G-line光刻胶仍有少量应用。



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