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安光企业集团，深耕光刻胶与显影液研发生产，匠心打造优质电子材料，赋能半导体产业高质量发展。
安光企业集团，深耕光刻胶与显影液研发生产，匠心打造优质电子材料，赋能半导体产业高质量发展。
化学放大光刻胶（Chemical Amplified Resist，简称CA胶或CAR），是一款高灵敏度的光成像材料，专为深紫外及更短波长光刻工艺设计。其核心技术在于通过曝光后烘烤（PEB）引发的酸催化链式反应，将单次光吸收事件放大为大量可显影的化学变化，从而实现远超传统光刻胶的感光速度。CA胶的主体成分包括光致产酸剂（PAG）、成膜树脂和碱性添加剂等。曝光时，光致产酸剂分解产生微量强酸；经过PEB工序后，酸作为催化剂使树脂发生脱保护反应，使其从疏水状态变为可被碱性显影液溶解的形态。由于反应过程中酸不会被消耗，酸分子可反复催化脱保护反应，从而实现了化学放大。
化学放大光刻胶（Chemical Amplified Resist，简称CA胶或CAR），是一款高灵敏度的光成像材料，专为深紫外及更短波长光刻工艺设计。其核心技术在于通过曝光后烘烤（PEB）引发的酸催化链式反应，将单次光吸收事件放大为大量可显影的化学变化，从而实现远超传统光刻胶的感光速度。CA胶的主体成分包括光致产酸剂（PAG）、成膜树脂和碱性添加剂等。曝光时，光致产酸剂分解产生微量强酸；经过PEB工序后，酸作为催化剂使树脂发生脱保护反应，使其从疏水状态变为可被碱性显影液溶解的形态。由于反应过程中酸不会被消耗，酸分子可反复催化脱保护反应，从而实现了化学放大。
.ECA 100 series
Resist Film Thickness:5~80um
Property:
1. High Sensitivity;
2. High Aspect Ratio;
3.Different viscosity series to meet a variety of customer needs.
.应用领域：
1.逻辑芯片制造（前道光刻） ：CA胶被广泛应用于晶圆制造的前道光刻工序中。KrF胶覆盖0.35μm至130nm节点，ArF胶覆盖130nm至45nm节点，ArF浸没式胶可延伸至28nm乃至14nm制程，其中ArF浸没式光刻胶主要用于12英寸晶圆核心制程。
2.存储芯片制造（DRAM、NAND Flash） ：CA胶在存储芯片的多层图形化工艺中发挥重要作用，是保证存储密度持续提升的关键材料之一。
3.先进封装与MEMS：KrF CA胶由于在厚膜涂层中具备较高的透明性与深宽比，被应用于扇出型封装、TSV硅通孔以及MEMS器件的多层光刻工艺中。
4.功率器件与特种半导体：I-Line及特定改性的CA胶可用于宽禁带半导体（如GaN、SiC）、功率器件、化合物半导体的沟槽刻蚀以及金属剥离工艺。
5.显示驱动芯片与PMIC：覆盖显示驱动IC、电源管理芯片等各类模拟及数字芯片的规模化生产。
